InGaAs-InP異質結光晶體管的器件設計與理論研究.pdf

1、異質結光晶體管（Hctcrojunction Phototransistor），作為一種光電探測器件，較之光敏二極管采用了異質結結構，并將其放大功能進行了集成，擁有了較高的光增益和系統(tǒng)性噪比，較小的暗電流（無光照時流經(jīng)晶體管的電流），較寬的截止頻率，在光纖通訊和光纖傳感中廣泛應用。本論文首先詳細分析了異質結材料的結構、特點和性能，然后闡述了異質結材料的研究進展，工作原理，理論基礎，器件工藝，在此基礎上采用異質結材料，進行光晶體管的設計，

2、創(chuàng)新性的設計了InGaAs-InP性能優(yōu)化的異質結光晶體管，其性能較之通常的光三極管易于實現(xiàn)微弱光相位信號的檢測，并為光電集成（OEIC）的設計提供了先決條件和理論基礎。最后對該設計進行了分析、計算和仿真。創(chuàng)新性的提出了一種用Medici軟件對異質結光晶體管進行器件仿真的方法。按照本論文提出的工藝方法、器件結構及工藝參數(shù)，設計出的大尺寸臺面式InGaAs-InP異質結光晶體管（HPT），光增益為2000，在窗口面積為80×80μ㎡下，-