不同載體上MFI型沸石分子篩膜的合成.pdf

1、沸石分子篩膜是近10年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型無(wú)機(jī)膜，具有孔徑小而均一、硅鋁比可調(diào)節(jié)、骨架中的硅或鋁原子可被其他雜原子取代等特性，可用于吸附分離、化學(xué)傳感器以及催化反應(yīng)中。在沸石膜的合成過(guò)程中，載體表面的性質(zhì)會(huì)強(qiáng)烈地影響沸石膜的生長(zhǎng)，表現(xiàn)出沸石膜對(duì)載體的敏感性。為此，載體表面性質(zhì)與沸石膜之間的關(guān)系是人們?cè)诜惺ず铣裳芯恐械囊粋€(gè)熱點(diǎn)，也是沸石膜廣泛應(yīng)用的一個(gè)重要前提。 本論文主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了研究： 1、采用原位水熱法，

2、分別以TEOS與硅溶膠為硅源，在玻璃片和石英晶片表面上合成了Silicalite-1沸石膜?？疾炝瞬煌柙春筒煌d體對(duì)Silicalite-1沸石膜合成的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在相同的合成配比下，以玻璃片為載體時(shí)：TEOS較硅溶膠更易于得到完全b軸定向的Silicalite-1沸石膜。以石英晶片為載體時(shí)：硅溶膠較TEOS更易于合成出Silicalite-1沸石膜，但不是完全b軸定向。 2、利用石英振子的壓電效應(yīng)，設(shè)計(jì)并搭建了QCM

3、傳感器?？疾旖?jīng)過(guò)沸石膜修飾后，石英振子起陣頻率與沸石膜厚度的關(guān)系以及焙燒過(guò)程對(duì)石英振子的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，最佳的起振條件是：Siliealite-l沸石膜，膜厚度為2μm,起振頻率為5.45MHz。在沸石膜的焙燒的過(guò)程中，石英振子出現(xiàn)了金電極的脫落現(xiàn)象，影響了導(dǎo)電性能。為此，我們提出了一套先生長(zhǎng)沸石膜后濺射電極的解決方案，為后續(xù)工作打下了基礎(chǔ)。 3、以TPABr為模板劑，合成出了粒度均勻的大尺寸H-ZSM-5，并在其表面水熱合

4、成了Silicalite-1沸石膜。考察了合成條件和合成液配比分別對(duì)大尺寸H-ZSM-5合成以及其表面Silicalite-1沸石膜合成能夠的影響。實(shí)驗(yàn)表明：大尺寸H-ZSM-5的最佳合成配比為SiO2:Al2O3:TPABr:NH4:H2O=100:1:25.3:185:2400，晶化溫度為170℃，晶化時(shí)間為7天。Silicalite-1沸石膜的最佳合成配比為SiO2:TPAOH:H2O=1:0.34:111，晶化溫度為180℃，晶