強(qiáng)流氧離子注入機(jī)高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶的研究.pdf

1、SOI(Silicon On Insulator)是指絕緣材料上的硅，它能突破體硅及其集成電路的限制，在超大規(guī)模集成電路、光電子等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。被國際上公認(rèn)為是“二十一世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)”。其中SIMOX（separation by implanted oxygen，注氧隔離）就是重要的實(shí)際應(yīng)用的SOI制備技術(shù)，這種技術(shù)的關(guān)鍵就是需要用強(qiáng)流氧離子注入機(jī)將氧離子注入到晶片中形成二氧化硅作為絕緣層。用于SIMOX的強(qiáng)流氧離子注入

2、機(jī)需要保證大束流、高溫、均勻、低污染注入。而高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶正是達(dá)到這種注入要求的關(guān)鍵部件之一。
　　 本文以中國科技集團(tuán)公司研制的大束流專用強(qiáng)流氧離子注入機(jī)的高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶為研究對象，結(jié)合參數(shù)化特征建模技術(shù)和虛擬樣機(jī)技術(shù)，對高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶的建模和仿真做了探索性的研究。
　　 本文在充分研究了高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶的設(shè)計要求和理論（包括高真空環(huán)境下的輔助加熱裝置的研究、批注入式全機(jī)械掃描和先進(jìn)磁掃描技術(shù)的研究）以及參考國外的高溫靶

3、之后，使用三維高端CAD/CAM/CAE軟件UG建立高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶的三維實(shí)體模型，應(yīng)用UG/Motion模塊及機(jī)械系統(tǒng)運(yùn)動學(xué)/動力學(xué)仿真分析軟件ADAMS建立高溫靶的虛擬樣機(jī)模型，并進(jìn)行運(yùn)動學(xué)仿真分析，根據(jù)仿真結(jié)果和理論計算結(jié)果的比較和分析，驗(yàn)證了所建虛擬樣機(jī)模型的正確性，得到高溫旋轉(zhuǎn)掃描靶的運(yùn)動規(guī)律，并找到實(shí)現(xiàn)均勻注入的速度曲線。
　　 由于虛擬樣機(jī)技術(shù)產(chǎn)生較晚，國際上目前只有在汽車、航空制造領(lǐng)域有較為成熟的應(yīng)用，在其它領(lǐng)域的