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1、為了突破傳統(tǒng)的機(jī)電轉(zhuǎn)換效應(yīng)的宏觀物理局限,需要研制新一代基于新原理、新效應(yīng)的具有更高靈敏度、更低功耗的微/納機(jī)電器件。本文主要研究基于量子共振隧穿效應(yīng)的AlAs/GaAs雙勢(shì)壘納米薄膜微結(jié)構(gòu)輸出特性的測(cè)試方法,設(shè)計(jì)電路提取共振隧穿微結(jié)構(gòu)在外界力作用下的微弱信號(hào),通過大量的實(shí)驗(yàn)測(cè)試微結(jié)構(gòu)及基于微結(jié)構(gòu)的納機(jī)電加速度計(jì)的機(jī)電特性。 論文研究了共振隧穿微結(jié)構(gòu)的基本特性,包括“平臺(tái)”結(jié)構(gòu)、本征雙穩(wěn)態(tài)特性、自激振蕩特性及電荷積累效應(yīng),給出了
2、微結(jié)構(gòu)的電學(xué)等效模型,設(shè)計(jì)了共振隧穿振蕩器,并研制出振蕩頻率測(cè)試電路;在分析了振蕩以及串聯(lián)電阻的影響后,研制出共振隧穿微結(jié)構(gòu)匹配電橋測(cè)試電路;利用應(yīng)力引起電荷積累變化使得微結(jié)構(gòu)Ⅰ-Ⅴ特性曲線峰、谷值電壓發(fā)生偏移的原理,設(shè)計(jì)了峰、谷值電壓檢測(cè)電路,并通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試給出結(jié)果。 在實(shí)驗(yàn)方面,測(cè)試了微結(jié)構(gòu)負(fù)阻區(qū)及非負(fù)阻區(qū)的壓阻特性,驗(yàn)證了共振隧穿力電耦合效應(yīng);進(jìn)行了共振隧穿微加速度計(jì)的振動(dòng)臺(tái)實(shí)驗(yàn),通過動(dòng)態(tài)響應(yīng)驗(yàn)證了:共振隧穿壓阻靈敏度比硅
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