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1、天津大學(xué)博士學(xué)位論文平面型共振隧穿二極管與共振隧穿晶體管的研究與應(yīng)用姓名:胡留長(zhǎng)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:博士專(zhuān)業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:姚素英郭維廉20051201ABSTRACTInthisthesis,thefabricationofplanarresonanttunnelingdiodesandmesatyperesonanttunnelingdiodes,themeasurementandanalysisofMOBILE(mono
2、stable—bistabletransitionlogicelement)circuitcellbuildupbyplanarresonanttunnelingdiodes,themeasurementandanalysisofseriesresistanceofresonanttunnelingdiodes,andfabricationofresonanttunnelingtransistorarestudiedMaterialst
3、ructuredesignandpreparation,devicestructureandphotomasksdesign,chipprocess,performancetestingandanalysis,andcircuitperformanceareinvolvedinthesystemicworkFollowingsarethemainachievementsofthethesis:1Resonanttunnelingdiod
4、eswereSuccessfullyfabricatedusingNGaAssubstrate2Theplanarresonanttunnelingdiodeswerefabricatedforthefirsttimeinmainland,withoutetchingthesurfaceheavilydopedlayerbeforeionimplantation,anewmethodwaspresentbybringingthecoll
5、ectortothesurfaceusingsiliconimplantation,theideaoffabricatingrealplanarRTDwasmadetrueItspropertieswerestudiedandcomparedwithmesatypeRTD3TheMOBILEcircuitcellbuildupbyplanarresonanttunnelingdiodesandrelativecircuitwerestu
6、died,andpre]iminaryworkwasdoneforthenextmixintegrationwithplanarRTD4TheformingcauseofseriesresistanceofRTD,theeffectonRTDcircuitthemeasurementmethodofseriesresistanceandreductionofseriesresistancewerestudiedsystematicall
7、Y5TheschottkygatedresonanttunnelingtransistorswerefabricatedforthefirsttimeinChinaincludingtrenchtypeGRTTandselfalignedGRTT,itspropertieswerestudiedandanalyzedKeywords:planarresonanttunnelingdiodes;MOBILE;ionimpantation;
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