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文檔簡介
1、該文介紹了一種納米電子器件:諧振隧穿二極管(RTD),它是一種新型GaAs襯底二端口器件,具有高速和雙穩(wěn)態(tài)兩大特性.該文詳細(xì)介紹了諧振隧穿二極管的工作原理及其設(shè)計.我們在理論上對雙壘單阱結(jié)構(gòu)進行了分析,詳細(xì)討論了超晶格層對器件特性的影響,并在此基礎(chǔ)上進行設(shè)計,制作和測試,并對測試結(jié)果進行了分析.主要的研究成果如下:1.設(shè)計研制出具有國內(nèi)領(lǐng)先水平的諧振隧穿二極管,具有較高的電流峰谷比(PVCR),室溫達到7.6:1;較好的頻率特性,最高振
2、蕩頻率為54GHz.2.測試并分析了RTD的直流特性、雙穩(wěn)態(tài)特性和電路特性.3.采用器件模擬軟件"SILVACO"中的模擬程序"ATLAS"對諧振隧穿二極管進行了器件模擬,模擬了其直流特性,能帶結(jié)構(gòu),模擬分析了勢壘寬度、勢阱寬度、勢壘高度和摻雜濃度對其直流特性的影響.4.設(shè)計出由諧振隧穿二極管(RTD)和高電子遷移率晶體管(HEMT)構(gòu)成的靜態(tài)分頻器.并采用SILVACO軟件對其中的HEMT進行了器件模擬,模擬結(jié)果顯示出HEMT的設(shè)計是
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