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文檔簡介
1、碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導體材料。SiC材料具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率及抗輻照能力強等一系列優(yōu)點，特別適用制作高壓、高溫、高功率、耐輻照等半導體器件，使得其在國民經(jīng)濟和軍事等諸多領域有著廣泛的應用前景，已經(jīng)引起了電子材料和微電子技術領域的廣泛關注。但由于SiC是一種間接帶隙半導體材料，其在光學方面上的應用
2、受到了很大限制。 本論文針對此問題，根據(jù)陽極氧化鋁模板(AAO)具有制備方法簡單、成本低、孔洞分布均勻和有序等特點，利用陽極電化學法在常溫和低溫下制備出了孔洞有序的通孔和非通孔的多孔氧化鋁模板，同時以AAO為模板，用射頻濺射法制備了低維SiC納米材料。主要開展了以下工作： 1、研究了AAO的基本性質和制備條件對模板有序性的影響。 2、系統(tǒng)地研究了AAO模板的發(fā)光機理。用Ar離子對AAO模板進行了處理，首先發(fā)現(xiàn)了表
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