暗場(chǎng)散射技術(shù)在晶圓表面缺陷檢測(cè)中的新應(yīng)用研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體加工制造技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓加工的特征尺寸正在從45nm向32nm以下發(fā)展,工藝的穩(wěn)定性和可靠性都面臨著嚴(yán)重的挑戰(zhàn)。通過晶圓檢測(cè)來監(jiān)控工藝,減少產(chǎn)量損失,提高良率,就變得越發(fā)重要起來,晶圓缺陷檢測(cè)的重要性已得到廣泛的認(rèn)知。
　　 在各種晶圓缺陷檢測(cè)的方式之中,無圖案晶圓表面缺陷檢測(cè)一直都占有很重要的地位。本論文在詳細(xì)介紹利用無圖案晶圓表面光學(xué)散射來進(jìn)行缺陷檢測(cè)的技術(shù)(第一、二章)的基礎(chǔ)上,研究了現(xiàn)有方法的一些嶄新應(yīng)用。

2、
　　 本論文第三章中,對(duì)當(dāng)前新工藝引入的一些新規(guī)格薄膜進(jìn)行了一系列測(cè)試,通過尺度量化和穩(wěn)定性兩個(gè)方面,證實(shí)了現(xiàn)有晶圓表面缺陷檢測(cè)儀器對(duì)這些新規(guī)格薄膜的適用性。
　　 在本論文第四章,利用軟件對(duì)底層薄霧散射信號(hào)的再分析能力,探索了利用薄霧信號(hào)的一些新應(yīng)用。首先證實(shí)了薄霧信號(hào)強(qiáng)度與晶圓表面粗糙度之間存在著一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系,并通過一系列的量測(cè),得出了它們之間關(guān)聯(lián)曲線。這種應(yīng)用可以成為測(cè)量晶圓表面粗糙度的一種新方法。此外,對(duì)于一