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文檔簡介
1、陶瓷材料在燒成過程中通常會發(fā)生晶粒和氣孔的數(shù)量、大小和形狀的變化。本文采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備BaTiO3和PZT陶瓷,獲得陶瓷微觀形貌的SEM照片和陶瓷宏觀形狀的CCD照片,以及氣孔率和收縮率的定量數(shù)據(jù),表明燒結(jié)體隨著氣孔減少而收縮;使用IPP軟件對SEM照片進(jìn)行圖像處理,獲得晶粒生長動力學(xué)因子和晶界分維值,表明在陶瓷燒結(jié)初期晶粒生長動力學(xué)因子為0~2,后期為3~4;分維值隨著保溫時間的延長而減??;采用HP4284A測量儀測量不同氣孔
2、率樣品的電容率,表明在氣孔率減小的同時電容率逐漸變大。 結(jié)合實際陶瓷的燒結(jié)過程,在原有仿真工作基礎(chǔ)上,根據(jù)MonteCarlo仿真方法建立ABO3型陶瓷晶粒生長的三維仿真模型,并用MicrosoftVisualC++和OpenGL開發(fā)的仿真軟件,進(jìn)一步將陶瓷燒結(jié)理論應(yīng)用于計算機(jī)模擬仿真。仿真中將氣孔引入到晶粒生長過程中,獲得仿真過程晶粒和氣孔的系列演化圖片及相應(yīng)的晶粒生長動力學(xué)因子和分維值,并在氣孔率減小的同時呈現(xiàn)燒結(jié)體的收縮,
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