鉍系低熔點(diǎn)電子玻璃結(jié)構(gòu)與性能的表征.pdf

1、隨著家用電器等領(lǐng)域向小型化方向的發(fā)展，采用介質(zhì)涂層材料作為發(fā)熱元件正成為一種發(fā)展趨勢。作為導(dǎo)電、電阻及絕緣涂層材料基礎(chǔ)的低熔點(diǎn)電子玻璃材料正迅速地得到研究和應(yīng)用。鉛玻璃是重要的低熔點(diǎn)絕緣玻璃材料，由于該玻璃在軟化溫度、絕緣性能及低成本等方面都具備了許多的優(yōu)點(diǎn)，是應(yīng)用最多而廣泛的絕緣材料。但隨著環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的逐步提高，鉛玻璃已經(jīng)被其它系統(tǒng)的低熔點(diǎn)玻璃所代替。
　　 本文基于鉛玻璃在低熔點(diǎn)電子玻璃應(yīng)用方面的限制，提出了采用無鉛化的鉍系低

2、熔點(diǎn)電子玻璃系統(tǒng)取代原先的鉛系玻璃，設(shè)計了Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3-SiO2系的玻璃組成，通過交叉研究，對Bi2O3含量在65％～85％范圍之間的鉍系玻璃在其形成情況、軟化溫度、絕緣性能及其它電性能等方面進(jìn)行了詳細(xì)的研究，通過采用DTA、紅外光譜、X衍射分析、體積電阻率、介電常數(shù)、介電損耗等多種測試方法對各組成的玻璃在性能及結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了分析，并對組成中其它氧化物在玻璃中的作用及其含量的變化對性能的影響分別進(jìn)行了研究，確定

3、了性能符合要求的鉍系統(tǒng)玻璃形成區(qū)域，研制了具有實(shí)用性的低熔點(diǎn)、高絕緣性能的電子玻璃材料。
　　 當(dāng)80≤Bi2O3(wt％)≤85時，玻璃組分中Al2O3含量為4.5％是較好的添加量；而ZnO/Al2O3為1時所形成的玻璃性能最佳；而當(dāng)75≤Bi2O3(wt％)≤80時，玻璃中添加少量的SiO2能夠明顯提高玻璃的電性能。該系統(tǒng)中玻璃的軟化溫度與體積電阻率隨B2O3含量的增大而升高，介電損耗隨B2O3含量的增加而降低。玻璃的燒結(jié)溫