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1、本文選擇SiO<,2>-Al<,2>O<,3>-MgO-La<,2>-<,3>-znO系微晶玻璃作為基礎(chǔ)體系,通過調(diào)整ZnO含量及采用不同的熱處理方式,應(yīng)用微波微擾法測(cè)量樣品的微波介電性能,結(jié)合X射線衍射分析和掃描電鏡,對(duì)樣品進(jìn)行晶相分析,并闡述了它們之間的關(guān)系。 樣品的微波介電性能受晶化后所析出晶相的控制。影響其介電性能的根本因素是最終樣品中析出的晶相及其相對(duì)含量。通過對(duì)樣品的晶相分析表明,隨ZnO含量的增加和600℃保溫時(shí)間
2、的延長(zhǎng),晶相MgSiO<,3>和Mg<,2>La<,4>Ti<,3>Si<,4>O<,22>在樣品中的相對(duì)含量逐漸降低,晶相ZnAl<,2>O<,4>在樣品中的相對(duì)含量逐漸升高;通過對(duì)樣品微波介電性能的測(cè)量表明,樣品的相對(duì)介電常數(shù)隨ZnO含量的增加而增大,介電常數(shù)溫度系數(shù)隨ZnO含量的增加和600℃保溫時(shí)間的延長(zhǎng)而降低。因此晶相MgSiO<,3>和Mg<,2>La<,4>Ti<,3>Si<,4>O<,22>具有較低的介電常數(shù)和較高的介電
3、常數(shù)溫度系數(shù),而晶相ZnAl<,2>O<,4>則具有較高的介電常數(shù)和較低的介電常數(shù)溫度系數(shù)。 通過改變ZnO的含量和600℃的保溫時(shí)間,可以得到介電常數(shù)溫度系數(shù)在115~-175ppm/℃之間可調(diào)的樣品。實(shí)驗(yàn)中得到了性能優(yōu)異的樣品,其中znO含量14wt%,600℃保溫7h后850℃保溫40h:ε<,1>=14.301;Q=1437;τ<,ε>=2.5ppm/℃;ZnO含量15wt%,600℃保溫5h后850℃保溫40h:ε<,
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