PI-SiO-,2--Al-,2-O-,3-納米復合薄膜的制備與性能.pdf

1、聚酰亞胺（polyimide，PI）由于具有優(yōu)異的介電、機械、熱性能，廣泛應用在電氣電子、微電子和航天航空等行業(yè)之中。近年來，國內(nèi)外對聚酰亞胺的制備和各項性能的研究進行得十分廣泛和深入。為了提高聚酰亞胺的性能，將聚酰亞胺與無機納米氧化物復合的方法受到了廣泛的關注。然而，無機納米氧化物作為無機相與有機基體的相容性有待于進一步提高。 本文以3-氨丙基三甲氧基硅烷（APTMOS）為前驅(qū)體，將其與均苯四甲酸酐（PMDA）反應，改變其結(jié)構

2、制得改性偶聯(lián)劑；以4，4’-二氨基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸酐為單體，以N，N-二甲基乙酰胺（DMAc）為溶劑，分別以SiO2溶膠和Al2O3溶膠為無機氧化物并使用改性偶聯(lián)劑，采用原位聚合法制備了PI/SiO2和PI/Al2O3-SiO2復合薄膜。采用傅里葉變換紅外光譜（FTIR）、掃描電子顯微鏡（SEM）等方法對所制備的復合薄膜的結(jié)構和形貌進行了表征。結(jié)果表明：改性偶聯(lián)劑的摻入使復合薄膜中的無機粒子的粒度明顯下降。通過對復合薄膜的擊

3、穿場強、耐電暈時間、介電譜及熱穩(wěn)定性的測試，研究了改性偶聯(lián)劑的使用對兩種復合薄膜的性能的影響及復合薄膜的性能與無機氧化物含量的關系。結(jié)果表明，摻有改性偶聯(lián)劑的PI/SiO2復合薄膜的擊穿場強在SiO2含量為20wt％時達到最大值（326kV/mm），是純PI薄膜1.5倍；耐電暈時間在SiO2含量為20wt％時達到最大值（26.4h），是純PI薄膜耐電暈時間的14倍；當SiO2含量為15wt％時各熱分解溫度達到最大值。摻有改性偶聯(lián)劑的PI