SPI接口閃存測試方法及程序開發(fā).pdf

1、隨著科技的快速發(fā)展，電子產品在我們的曰常生活中扮演著越來越重要的角色，而芯片技術作為電子產品的核心部分也在高速的發(fā)展著。閃存是芯片中發(fā)展最快應用最廣泛的產品之一，串行接口的閃存以它面積小，成本低和結構簡單而被廣泛關注，越來越多的芯片供應商都陸續(xù)的投入到串行接口閃存的開發(fā)當中。(NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局

2、面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND nash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR的特點是芯片內執(zhí)行(XIP,eXecute In P1ace)，這樣應用程序可以直接在nash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲

3、密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。)本文主要研究了針對SPI串行接口閃存開發(fā)的測試方法和測試程序，在本文中闡述了在開發(fā)中碰到的許多與并行接口不同的難題及解決方法。本文主要有七個部分組成：序言部分，介紹了課題背景及開發(fā)方向；第二部分介紹了閃存的基本結構及工作原理和SPI接口的基本特性；第三部分介紹了本課題研究的SPI閃存產品的基本功能及內部結構；第四章介紹了針對該產品的測試方法的

4、開發(fā)；第五部分介紹了在實現該產品測試方法過程中碰到的具體問題及解決方法；第六部分介紹了產品的流片和驗證；最后部分是結論語和未來工作的展望及主要參考文獻。在本文中還重點介紹了多種針對SPI串行接口開發(fā)的測試方法，比如：高頻測試下測試機臺的測試精度的問題：我們引用了時鐘偏移量的概念；在并行數據轉成串行數據的問題中，我們引用了愛德萬公司的cycle palette硬件及開發(fā)了相應的測試代碼來實現；在測試時間的問題中，我們開發(fā)了特殊的電路來支持

5、特殊的測試方法：比如，地址自加讀操作模式，多存儲模塊同時寫模式，這些測試方法大大縮短了測試時間從而減少了測試成本；在運用特殊測試方法碰到了引腳不夠的問題中，設計了引腳復用的電路，還改造了愛德萬測試機臺的測試頭硬件，使其在不同的測試模式下能夠切換根據測試需要切換硬件資源等等。這些方法不但已被成功的應用到16MHz的SPI閃存生產的測試當中，還將被應用到32M和64M甚至更高端的SPI產品的測試中，同時也為開發(fā)其它串行接口類型的閃存產品提供