已閱讀1頁，還剩52頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、本文主要研究了氫化對n型金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶多晶硅薄膜晶體管熱載流子退化的影響。主要包括轉(zhuǎn)移特性的退化和輸出特性的退化兩部分內(nèi)容。對于轉(zhuǎn)移特性的退化，我們是用統(tǒng)計(jì)的方法進(jìn)行系統(tǒng)地研究，首次證明了等離子體氫化不僅大大地改善了應(yīng)力前轉(zhuǎn)移特性各參數(shù)的性能，而且極大的提高了器件轉(zhuǎn)移特性各參數(shù)的熱載子耐受力，延長了器件的使用壽命。對于輸出特性的退化，應(yīng)力后氫化器件的各參數(shù)并沒有得到很大改善，其中飽和電流的退化明顯要比非氫化器件的嚴(yán)重。研究表明，在金屬
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- p型金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶多晶硅TFT直流應(yīng)力下的退化研究.pdf
- 金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶n型多晶硅薄膜晶體管熱載流子應(yīng)力下漏電特性及機(jī)制研究.pdf
- N型金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶TFT交直流應(yīng)力下的器件退化研究.pdf
- 多晶硅TFT后氫化處理的研究.pdf
- 鋁誘導(dǎo)對多晶硅生長的影響.pdf
- 金屬源漏多晶硅TFT及非晶IGZO TFT的特性研究.pdf
- 熱場改造對多晶硅性能的影響.pdf
- 金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶n型薄膜晶體管直流退化機(jī)制研究.pdf
- 金屬誘導(dǎo)多晶硅薄膜制備與研究.pdf
- 基于光脈沖輔助的金屬誘導(dǎo)橫向晶化多晶硅薄膜的研究.pdf
- 動態(tài)電應(yīng)力下n型多晶硅薄膜晶體管的退化研究.pdf
- 新型TFT器件的模擬研究—Halo LDD多晶硅TFT的性質(zhì)研究.pdf
- 制備工藝對鋁誘導(dǎo)多晶硅薄膜性能影響的研究.pdf
- 利用自對準(zhǔn)工藝制備多晶硅TFT的研究.pdf
- 多晶硅氫化爐的多場仿真及其優(yōu)化.pdf
- 過渡層對熱絲法低溫制備多晶硅薄膜的影響.pdf
- 多晶硅TFT有機(jī)發(fā)光有源驅(qū)動技術(shù)的研究.pdf
- 多晶硅TFT反相器的可靠性研究.pdf
- 金屬(Al、Cu)誘導(dǎo)晶化法制備多晶硅薄膜研究.pdf
- 多晶硅產(chǎn)品
評論
0/150
提交評論