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1、本文主要研究了金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶n型多晶硅薄膜晶體管在熱載流子(hot carrier,HC)應(yīng)力下的漏電特性，以及其所對應(yīng)的物理機制；并確定了應(yīng)力前后漏電的電流模型。最后提出了HC應(yīng)力下n型TFT的場助產(chǎn)生(field enhanced generation，F(xiàn)EG)漏電與熱產(chǎn)生(thermal generation，TG)漏電量化統(tǒng)一模型。整個研究從FEG漏電和TG漏電兩個角度展開。在測量時，采用正反向測量模式。在定性分析FEG漏電和
2、TG漏電特性的同時，還針對Ioff和漏電最小值Ioff min這兩個重要參數(shù)進行定量分析。此外，對TG漏電分為非H化和H化器件兩個對照組，進行研究，并分別考察了飽和區(qū)和增長區(qū)的特性。最終得出了熱載流子應(yīng)力后，F(xiàn)EG漏電與TG漏電在正反向測量模式下的漏電特性，并澄清了其內(nèi)在的物理機制。還確認了應(yīng)力前后在正反向測量模式下FEG漏電的電流模型，以及TG漏電增量的電流模型。并提出了HC應(yīng)力下n型TFT的FEG漏電與TG漏電量化統(tǒng)一模型。從數(shù)學(xué)上
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