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文檔簡介
1、對于VCO來說,最重要的指標之一就是相位噪聲,VCO的近端相位噪聲可以通過鎖相環(huán)得到改善,但是VCO的遠端噪聲則只有通過提高VCO的諧振腔Q值得到改善。對于LC結構的振蕩器,電感和電容Q值的提高都對提高VCO相噪有重要意義。從目前的資料來看,在微波頻段,BST器件Q值比變容二極管低,而BZN器件和BST器件相比,損耗更低,Q值更高,所以預計BZN材料的變容管可以超過普通的半導體變容二極管的Q值,由此期望VCO相位噪聲得到提高。
2、本文研究了基于BZN薄膜電調變容管的集總元件調諧VCO的寬帶和低相噪技術。解決的主要問題有: 1、BZN電容結構的電磁分析和微細加工技術; 2、BZN電容在微帶線系統(tǒng)中的測量方法; 3、適用于BZN變容管的X波段VCO的寬帶調諧技術和低相噪技術; 4、VCO裸芯片的焊接技術和寄生參數(shù)影響因素的分析。 本文完成了MIM結構BZN電容電磁仿真模型的建立,研究了基于TRL校準方法的BZN電容測試平臺,采
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