有機(jī)靜電感應(yīng)晶體管的制作及特性研究.pdf

1、在信息化高速發(fā)展的今天，大規(guī)模集成電路技術(shù)和終端顯示技術(shù)成為信息化社會(huì)的兩大最重要的支柱技術(shù)。傳統(tǒng)的Si基半導(dǎo)體工藝存在投資成本高、制備工藝復(fù)雜、不適宜柔性基底和大面積生產(chǎn)的不足。近十幾年來，一種新穎的、低成本制備的電子器件-有機(jī)薄膜晶體管經(jīng)歷了一個(gè)快速發(fā)展的過程，引起了科學(xué)家和產(chǎn)業(yè)界人士的注意。這一類有機(jī)電子器件的制備工藝簡(jiǎn)單，成本僅為硅芯片器件的1％-10％，可大面積批量制備，可與柔性襯底兼容，完全滿足低端電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化的要求，成為

2、實(shí)現(xiàn)低端低成本大面積柔性平板顯示陣列和集成電路的最佳解決方案。然而，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的快速進(jìn)步，主要得益于新型有機(jī)半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展。 本論文研究的是一種新型結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管一有機(jī)靜電感應(yīng)晶體管（Organic Static Inductive Transistor：OSIT）。它具有靜電感應(yīng)晶體管（SIT）的垂直結(jié)構(gòu)，有機(jī)半導(dǎo)體材料-酞菁銅（Copper Phthalocyanine：CuPc）作為有源層。

3、 本論文主要研究?jī)?nèi)容是，采用真空蒸鍍和磁控濺射等工藝，制備了Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu結(jié)構(gòu)的有機(jī)靜電感應(yīng)晶體管。源極和漏極分別采用金屬Cu薄膜，與酞菁銅活性層形成歐姆接觸。柵極金屬是Al，與酞菁銅界面形成肖特基勢(shì)壘。通過施加?xùn)艍汉吐海刂菩ぬ鼗鶆?shì)壘的高度，從而控制越過勢(shì)壘的載流子數(shù)量，達(dá)到控制溝道內(nèi)工作電流的目的。針對(duì)已試制成功的有機(jī)靜電感應(yīng)晶體管，為了解析OSIT器件的電流-電壓（I-V）特性，了解有機(jī)電子器件中載流子注