埋柵型電力靜電感應晶閘管的研制.pdf

1、　　本文首先介紹了半導體功率器件的發(fā)展概況，對各種半導體功率器件的電性能與靜電感應器件進行了比較。介紹了SITH的基本結構形式和特點，對SITH的I—V特性和基本作用機理進行了分析和討論。SITH的基本結構是在p+n-n+二極管的n-區(qū)設置了一個控制陰極電子注入的p+柵極。當柵極加反向偏壓時，兩柵區(qū)之間的溝道被耗盡層夾斷，在陰極和陽極之間建立起控制電流的勢壘。　　本論文工作對SITH的制造工藝及關鍵技術進行了大量的實驗研究，設計出了切

2、實可行，符合工藝條件的工藝流程。在保證I—V特性正確的前提下，使SITH的柵陰擊穿電壓從原來的7～8V提高到38V。研究了深槽與臺面刻蝕對SITH電性能的影響，及腐蝕工藝中的掩蔽保護技術，得到了抗蝕性很強的掩蔽層。深槽刻蝕切斷了各種寄生電流成分對對器件I—V特性的影響，改善了器件電性能。論文工作還對控制外延層方塊電阻及導電類型的染磷工藝進行了實驗研究，比較了擴散染磷與外延染磷的區(qū)別，認為外延染磷雖然工藝復雜一些，但效果比擴散染磷更好。