GaAs MESFET的模型研究及其模型參數(shù)的提取.pdf

1、隨著GaAs電路越來越廣泛的應(yīng)用，其電路模擬技術(shù)也得到迅速發(fā)展。電路模擬的精度不僅與器件模型本身有關(guān)，還與給定的器件模型參數(shù)值是否正確有密切關(guān)系，因而器件模型參數(shù)提取就成了電路設(shè)計中的一個重要環(huán)節(jié)本論文從GaAs MESFET的器件模型開始討論，由兩區(qū)模型導(dǎo)出了GaAsMESFET的物理模型，得出其漏源電流的計算公式，由于物理模型的計算過于復(fù)雜以及工藝的多變性，GaPs MESFET物理模型并不適用于電路模擬。電路模擬軟件Pspicc中

2、建立了適合電路模擬的GaAs MESFET模型，本論文對其各級模型的模型公式、特性和適用范圍進(jìn)行了研究，特別針對應(yīng)用較為廣泛的Curtice和Statz模型進(jìn)行了詳細(xì)說明。 本論文對GaAs MESFET器件的模型參數(shù)的提取方法進(jìn)行了研究，采用了優(yōu)化曲線擬合的技術(shù)，研究了優(yōu)化初值的取值方法，并針對實例對器件進(jìn)行模型參數(shù)提取，最后得出模擬曲線與原曲線的比較結(jié)果，證明了此方法可以比較準(zhǔn)確地提取出器件的模型參數(shù)。 模型參數(shù)的提