多孔氧化鋁制備及相關(guān)材料特性研究.pdf

1、本文主要研究多孔氧化鋁的制備和CdSe量子點(diǎn)的熒光特性。本文的多孔氧化鋁膜實(shí)驗(yàn)，主要采用磷酸和草酸作為電解液，研究了多孔氧化鋁膜的制備方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，二次氧化法能夠得到更加有序、均勻的多孔氧化鋁膜。根據(jù)陽(yáng)極氧化中電流與時(shí)間的變化規(guī)律分析了多孔氧化鋁膜的形成過(guò)程。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氧化鋁的孔間距與陽(yáng)極氧化電壓的關(guān)系近似于線性。掃描電子顯微鏡照片顯示，多孔氧化鋁膜的局部呈現(xiàn)出有序、均勻的周期結(jié)構(gòu)。通過(guò)統(tǒng)計(jì)計(jì)算，還發(fā)現(xiàn)氧化鋁膜的孔隙率只有8％

2、，并沒(méi)有達(dá)到10％，因此實(shí)驗(yàn)照片和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)是一致的，同時(shí)說(shuō)明需要進(jìn)一步改變實(shí)驗(yàn)條件，制備出孔隙率達(dá)到10％、呈現(xiàn)周期的多孔氧化鋁膜。本文還分析了CdSe量子點(diǎn)在不同生長(zhǎng)時(shí)間的熒光特性。各CdSe量子點(diǎn)熒光峰的半高寬基本一致的結(jié)果說(shuō)明，各樣品中量子點(diǎn)的尺度漲落基本一致。熱處理和激光照射使CdSe量子點(diǎn)熒光峰的強(qiáng)度明顯減弱了。特別是在110℃和150℃的熱處理作用下，CdSe量子點(diǎn)的熒光峰位發(fā)生了藍(lán)移。在無(wú)限深球方勢(shì)阱模型的基礎(chǔ)上分析了量子