CMOS低電壓高線性度混頻器的研究.pdf

1、在近十年來，隨著微電子學(xué)與超大規(guī)模集成電路技術(shù)的巨大進展，通信技術(shù)獲得了前所未有的發(fā)展。而無線通信技術(shù)作為其中的一個分支無疑是發(fā)展最為迅猛的。CMOS射頻前端由發(fā)射和接收模塊組成，其中混頻器是射頻接收前端的關(guān)鍵部分，它的性能決定了整個接收機的性能。
　　 另一方面，隨著通信事業(yè)日新月異地發(fā)展，無線通信由于其能彌補有線網(wǎng)絡(luò)的很多缺陷而在個人和商業(yè)領(lǐng)域大受歡迎。隨著用戶的要求不斷提高，無線技術(shù)必定也向更低功耗、更高的性能方向發(fā)展。前

2、端射頻模擬電路與后端數(shù)字電路集成于一個芯片上已經(jīng)成為了當(dāng)前集成電路設(shè)計的發(fā)展趨勢。目前數(shù)字系統(tǒng)的工作電壓及功耗可以做得非常低，而數(shù)字系統(tǒng)的低電壓不適合射頻模擬電路工作，因為當(dāng)射頻模擬電路取與后端數(shù)字系統(tǒng)同樣大小的電壓時，射頻電路的動態(tài)范圍、線性度、工作頻率及增益大大受到限制。因此如何設(shè)計低電壓高線性度模擬射頻前端成了當(dāng)前射頻集成電路設(shè)計的一個難點。混頻器作為射頻接收中的重要模塊，低電壓高線性度混頻器的研究成了當(dāng)前的一個研究熱點。

3、　　 本文首先簡單介紹了射頻電路中的一些基本概念，然后概述了CMOS混頻器研究中仍存在的幾大問題及國內(nèi)外CMOS混頻器的研究進展，其中重點分析了低電壓、高線性度混頻器的進展。主要工作和創(chuàng)新點如下：
　　 1）分析混頻器工作原理之后，分析比較了國內(nèi)外幾種常見的混頻器，提出了一個1V的低電壓混頻器，跨導(dǎo)直流部分只有一級MOS管堆疊，因而能工作在低電壓條件下。仿真結(jié)果表明，所提出的電路在1V電壓下具有較好的性能。
　　 2）