CMOS低電壓高線性度混頻器的研究.pdf

1、在近十年來，隨著微電子學與超大規(guī)模集成電路技術的巨大進展，通信技術獲得了前所未有的發(fā)展。而無線通信技術作為其中的一個分支無疑是發(fā)展最為迅猛的。CMOS射頻前端由發(fā)射和接收模塊組成，其中混頻器是射頻接收前端的關鍵部分，它的性能決定了整個接收機的性能。
　　 另一方面，隨著通信事業(yè)日新月異地發(fā)展，無線通信由于其能彌補有線網絡的很多缺陷而在個人和商業(yè)領域大受歡迎。隨著用戶的要求不斷提高，無線技術必定也向更低功耗、更高的性能方向發(fā)展。前

2、端射頻模擬電路與后端數(shù)字電路集成于一個芯片上已經成為了當前集成電路設計的發(fā)展趨勢。目前數(shù)字系統(tǒng)的工作電壓及功耗可以做得非常低，而數(shù)字系統(tǒng)的低電壓不適合射頻模擬電路工作，因為當射頻模擬電路取與后端數(shù)字系統(tǒng)同樣大小的電壓時，射頻電路的動態(tài)范圍、線性度、工作頻率及增益大大受到限制。因此如何設計低電壓高線性度模擬射頻前端成了當前射頻集成電路設計的一個難點。混頻器作為射頻接收中的重要模塊，低電壓高線性度混頻器的研究成了當前的一個研究熱點。

3、　　 本文首先簡單介紹了射頻電路中的一些基本概念，然后概述了CMOS混頻器研究中仍存在的幾大問題及國內外CMOS混頻器的研究進展，其中重點分析了低電壓、高線性度混頻器的進展。主要工作和創(chuàng)新點如下：
　　 1）分析混頻器工作原理之后，分析比較了國內外幾種常見的混頻器，提出了一個1V的低電壓混頻器，跨導直流部分只有一級MOS管堆疊，因而能工作在低電壓條件下。仿真結果表明，所提出的電路在1V電壓下具有較好的性能。
　　 2）