高線性零中頻混頻器設(shè)計.pdf

1、本論文選擇了零中頻架構(gòu)并設(shè)計了該接收器系統(tǒng)中的零中頻混頻器核心電路和直流偏移消除(DCC)環(huán)路電路(基帶可變增益放大器BBVGA和基帶低通濾波器BBLPF除外)。在混頻器核心設(shè)計中，利用BiCMOS工藝的優(yōu)勢，采用以吉爾伯特混頻單元為核心的雙平衡Bipolar混頻器，利用跨導級源極負反饋電阻提高線性度，并設(shè)計了有效的二階低通濾波器作為負載實現(xiàn)增益和基帶預(yù)濾波。在研究直流偏移的來源和危害后，總結(jié)分析了近年主要的五種DCC技術(shù)，設(shè)計了一款基

2、于單級直流負反饋環(huán)路法的DCC電路。本文對該DCC電路中的各個模塊電路(BBVGA和BBLPF除外)進行了詳細分析，最后給出了各個模塊和整個系統(tǒng)的仿真結(jié)果。 采用捷智半導體(JAZZSemiconductor)0.35μmSiGeBiCMOS工藝設(shè)計了電路和版圖，電源電壓5V。仿真結(jié)果表明，混頻器核心電路轉(zhuǎn)換增益為8.843dB，雙邊帶噪聲系數(shù)為17.43dB，輸入三階交調(diào)點達13.8534dBm，消耗電流1.8mA；整個環(huán)路系