高Al組分的AlGaN外延材料的MOCVD生長研究.pdf_第1頁
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1、本論文通過MOCVD生長手段，通過一系列實(shí)際的生長和測(cè)試實(shí)驗(yàn)，在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延了高Al組分的AlxGa1-xN外延層，并且針對(duì)多種緩沖層技術(shù)下的成核層生長、脈沖緩沖層生長和超晶格緩沖層生長工藝，通過材料生長和材料表征兩方面，研究了關(guān)鍵層結(jié)構(gòu)中的關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)AlxGa1-xN外延材料質(zhì)量的影響，對(duì)關(guān)鍵的工藝參數(shù)進(jìn)行了一系列的優(yōu)化試驗(yàn)，制備出了高質(zhì)量的AIN外延材料和高Al組份AlGaN外延材料。 對(duì)不同Al組分含量的高Al

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