版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、二氧化錫(SnO2)是一種寬禁帶n型半導(dǎo)體,常溫下其禁帶寬度Eg達(dá)到3.6eV,激子束縛能高達(dá)130meV,是一種重要的無機(jī)功能材料,被廣泛應(yīng)用于氣敏元件、透明電極、半導(dǎo)體元件、催化劑、功能陶瓷、信息材料、染料敏化太陽能電池、光電子器件等方面。因此SnO2材料的各種制備方法以及特性的研究受到人們廣泛關(guān)注。 本文采用水(溶劑)熱法和模板法制備了各種形貌的二氧化錫,采用共沉淀法制備了銪摻雜二氧化錫納米材料。利用X射線衍射儀(XRD)
2、、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、紅外光譜(IR)、紫外漫反射光譜(VIS-NIR)、室溫光致發(fā)光光譜(PL)等對產(chǎn)物進(jìn)行表征,并研究了產(chǎn)物的光致發(fā)光特性。 本論文的主要研究內(nèi)容及結(jié)果包括以下幾個方面: 1.以SnCl4·5H2O為原料,采用不同溶劑180℃水(溶劑)熱反應(yīng)數(shù)小時后得到不同形貌的二氧化錫。在純乙二胺體系中,制備了微米級的二氧化錫棒狀產(chǎn)物。二乙胺的加入量對二氧化錫的形貌起著重要的作用,這
3、與乙二胺的分子結(jié)構(gòu)中有2個配位基團(tuán)NH2-有關(guān);而水熱反應(yīng)24h則得到球形納米粒子,延長反應(yīng)時間和升高反應(yīng)溫度,均得到二氧化錫納米棒。反應(yīng)時間影響產(chǎn)物的結(jié)晶性和粒徑大小,隨著反應(yīng)時間的延長,產(chǎn)物結(jié)晶性提高,粒徑逐漸增大。納米棒的形成可能是水熱反應(yīng)過程中晶核取向生長所致。SnO2納米棒在可見光范圍有很大的吸收。室溫光致發(fā)光研究表明,SnO2具有優(yōu)越的發(fā)光性能,在340nm處有較強(qiáng)的近帶邊激子紫外發(fā)光峰,在432nm和470nm處為氧空位缺
4、陷引起的發(fā)光峰,540nm處的綠光發(fā)光峰為亞穩(wěn)態(tài)的氧空位缺陷所致,672nm處紅光發(fā)光峰歸因于表面的氧空位缺陷引起的能帶中深能級躍遷。 2.以Al2O3陶瓷片為模板基片,我們采用SnCl4·5H2O與二乙胺、N,N-二甲基乙酰胺和乙二胺3種有機(jī)胺溶劑在180℃溶劑熱反應(yīng)數(shù)小時后合成了SnO2超微粉體材料,粉體的平均大小為0.5~1微米。陶瓷基片為二氧化錫生長提供了生長基底,有利于柱狀和棒狀產(chǎn)物形成。室溫光致發(fā)光研究表明,SnO2
5、粉體室溫下的光致發(fā)光譜圖在340nm處的強(qiáng)發(fā)光峰為SnO2本征發(fā)光峰,450nm處的弱發(fā)光峰可歸結(jié)為是由氧空位缺陷引起的發(fā)光峰。 3.采用化學(xué)共沉淀法制備Eu3+摻雜SnO2納米粉體,Eu3+摻雜量和焙燒溫度對產(chǎn)物有一定影響。當(dāng)摻雜量為1%時,在不同焙燒溫度下其SnO2晶體保持純四方晶相結(jié)構(gòu);當(dāng)摻雜量增加為3%和5%時,隨著焙燒溫度的升高,分別在900℃和1100℃,產(chǎn)物得到Eu2O3和SnO2兩相結(jié)構(gòu);700℃不同Eu3+摻雜
6、量所得產(chǎn)物為純四方晶相二氧化錫。升高溫度,隨著Eu3+摻雜量的增加,產(chǎn)物中陸續(xù)出現(xiàn)Eu2O3和SnO2兩相結(jié)構(gòu)。這是由于隨著Eu3+摻雜量的增加,固溶于SnO2晶格中的Eu3+達(dá)到極限,從SnO2晶格中脫離出來,以雜質(zhì)形式存在于SnO2晶格空隙中,故產(chǎn)物XRD譜圖上出現(xiàn)了Eu2O3衍射峰。Eu3+的發(fā)射主要來自2D0激發(fā)態(tài)能級,包括5D0→7F1、5Do→7F2、5D0→7F3、5D0→7F4躍遷;此外還存在著較高5D2和5D1激發(fā)態(tài)能
7、級的輻射躍遷,包括5D2→7F3、5D1→7F2和5D1→7F2躍遷。室溫光致發(fā)光表明,Eu3+摻雜SnO2納米粉體在580~730nm波長范圍內(nèi)具有一組窄帶譜峰,592nm附近的發(fā)射峰強(qiáng)度最大,其發(fā)光以5D0→7F1躍遷為主,為橙光發(fā)射峰。此外,在520~560nm波長范圍內(nèi)還有弱的5D2和5D1激發(fā)態(tài)能級的輻射躍遷,其中529nm處的發(fā)射峰對應(yīng)于5D2→7F3躍遷發(fā)射,540nm處的發(fā)射峰對應(yīng)于5D1→7F1躍遷發(fā)射,552和561
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 二氧化錫半導(dǎo)體陶瓷的摻雜改性研究.pdf
- 二氧化錫納米結(jié)構(gòu)的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 光致發(fā)光二氧化硅納米材料的制備及生物應(yīng)用初探.pdf
- 摻銦二氧化錫薄膜(ITO)的制備及其性質(zhì)研究.pdf
- 半導(dǎo)體氧化物二氧化錫和氧化鎳的水熱合成及其表征.pdf
- 氧化錫及其銻摻雜薄膜的制備、結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光性質(zhì)研究.pdf
- 二氧化錫納米孔的制備及其性能研究.pdf
- CVD工藝制備二氧化錫納米材料.pdf
- 二氧化錫多孔納米固體的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 二氧化錫粉體的制備研究.pdf
- 有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體的光致發(fā)光譜研究.pdf
- 半導(dǎo)體光致發(fā)光特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體納米材料的制備及發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf
- 納米二氧化鈦、二氧化錫及其復(fù)合粉體的制備與研究.pdf
- 二氧化錫納米結(jié)構(gòu)的制備及其光學(xué)性能研究.pdf
- 二氧化錫空心球材料的制備及其氣敏特性研究.pdf
- 二氧化錫-硫族化合物裂紋半導(dǎo)體薄膜的制備及光電性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體發(fā)光納米材料的制備及性質(zhì)的研究.pdf
- 二氧化錫電極的制備及其催化性能的研究.pdf
- 二氧化錫納米結(jié)構(gòu)的制備、光學(xué)性質(zhì)及光催化性質(zhì)研究.pdf
評論
0/150
提交評論