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文檔簡介
1、當(dāng)今,數(shù)據(jù)存儲的高速增長成為信息時代的重要特征,而磁記錄存儲又是數(shù)據(jù)存儲的最主要方式。據(jù)預(yù)測,到2010年全球產(chǎn)生的數(shù)字化信息總量有望達(dá)到1萬億Gbit,數(shù)字化信息量的迅猛增長同時帶動了存儲技術(shù)的發(fā)展。為了保持硬盤產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位,磁記錄密度在產(chǎn)業(yè)界和研究人員的共同努力下不斷提高,日立(HitachiLtd)于2008年8月宣布了了6lOGbit/in2的磁記錄密度,而單個記錄位的尺寸更是降到了納米量級。在此情況下,超順磁效應(yīng)成為當(dāng)前限制
2、磁記錄密度提高的主要因素,為了克服這一限制,采用具有高的磁各向異性常數(shù)(Ku)的材料作為磁記錄介質(zhì)已經(jīng)成為研究熱點(diǎn),但同時也帶來了寫入難的問題。針對這些問題,熱輔助磁記錄(HAMR)、交換彈性耦合介質(zhì)(ExchangeSpringMedia)、構(gòu)型記錄位介質(zhì)(BPM)以及交換耦合復(fù)合介質(zhì)(ECC)等方案被相繼提出,其中熱輔助磁記錄被認(rèn)為是一項具有應(yīng)用前景的技術(shù),并且采用雙層結(jié)構(gòu)薄膜能更有效的提高寫入能力。本文就是在這一背景下研究了鐵磁/
3、亞鐵磁交換耦合雙層薄膜的制備及磁特性。
本論文的研究工作主要分為兩個方面:
第一,由于磁光克爾效應(yīng)測量技術(shù)已成為研究表面磁性的有效手段,在我們的工作中改進(jìn)了大場縱向表面磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng),通過使用聚焦透鏡來有效增大入射激光的入射角,提高縱向克爾信號強(qiáng)度,減小磁極間距,增大外加磁場,實(shí)現(xiàn)了測量具有較大面內(nèi)矯頑力的樣品;同時通過引入分光光路系統(tǒng)來克服由于激光器光強(qiáng)變化所導(dǎo)致的信號不穩(wěn)問題。
第二,
4、研究了具有高Ku的鐵磁材料FePt、亞鐵磁材料TbFeCo以及鐵磁/亞鐵磁雙層交換耦合薄膜FePt/TbFeCo的制備和磁特性,其中第一部分研究了摻雜Cu原子對降低FePt有序化溫度的作用;第二部分研究了在不同制備條件下(改變?yōu)R射功率、氣壓和退火時間)非晶TbFeCo薄膜的磁特性變化,并且用振動樣品磁強(qiáng)計(VSM)在不同外場角度下測量的磁滯回線顯示出相分離特征,說明非晶TbFeCo薄膜中存在易磁化軸平行膜面的富FeCo晶粒;第三部分研究
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