超低飛高硬盤頭盤系統(tǒng)穩(wěn)定性研究.pdf

1、自1956年IBM發(fā)明第一塊硬盤以來，硬盤技術(shù)取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，硬盤的應(yīng)用也越來越廣泛。自二十世紀(jì)九十年代，硬盤面密度保持60％的年增長率增長。特別是1998年后，隨著GMR (Giant Magneto Resistance)磁頭的引入，面密度年增長率更是達(dá)到了100%。隨著存儲密度的不斷提高，硬盤磁頭與盤片之間的距離(即磁頭飛行高度)必須更低。當(dāng)磁頭飛行高度降低到10 nm以下時，傳統(tǒng)的空氣薄膜潤滑模型遇到挑戰(zhàn)，磁頭與盤片界面短

2、程作用力對磁頭運動產(chǎn)生重要影響，特別是分子間作用力。
　　 從兩分子的分子間作用力模型出發(fā)，結(jié)合磁頭盤片界面多層結(jié)構(gòu)，推導(dǎo)磁頭盤片界面分子間作用力模型。鑒于分子間作用力會降低磁頭盤片系統(tǒng)空氣軸承承載力，同時引起磁頭運動的不穩(wěn)定性，繼而在所得磁頭盤片界面分子間作用力模型基礎(chǔ)上研究了潤滑劑層厚度、磁頭飛行傾角和滾翻角以及空氣軸承表面(air bearing surface，ABS)形狀等相關(guān)因素對分子間作用力的影響。