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文檔簡介
1、采用真空擴(kuò)散焊和粉末燒結(jié)工藝分別制備Cu-Ni和Cu-Ni-Co體系的相界面，利用光學(xué)顯微鏡和ANSYS7.0軟件對擴(kuò)散區(qū)域進(jìn)行了觀察和模擬研究。 研究結(jié)果表明：“嵌入式”Cu／Ni擴(kuò)散偶的相界面遷移距離與擴(kuò)散焊溫度、保溫時(shí)間有關(guān)，擴(kuò)散層寬度與保溫時(shí)間成拋物線關(guān)系；“嵌入式”Cu／Ni擴(kuò)散偶中Cu界面一側(cè)α相生長寬度與Ni原子向Cu基體擴(kuò)散的距離基本吻合，而Ni界面一側(cè)α相生長寬度則不符合Cu原子向Ni擴(kuò)散距離；600℃×20h
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