SiGe BiCMOS TD-SCDMA混頻器的設(shè)計(jì)研究.pdf

1、作為世界第三代移動通信標(biāo)準(zhǔn)之一的TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)，日益受到中國政府和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注與支持。其中，TD-SCDMA移動終端射頻芯片的研發(fā)技術(shù)正處于發(fā)展階段，掌握其核心技術(shù)對TD-SCDMA商用之后的經(jīng)濟(jì)效益至關(guān)重要。而混頻器作為移動終端射頻芯片的重要組成模塊，已經(jīng)成為人們研究的熱點(diǎn)。為此，本文設(shè)計(jì)了一個滿足TD-SCDMA終端射頻標(biāo)準(zhǔn)的混頻器電路。 文章首先介紹TD-SCDMA移動終端的發(fā)展前景、闡述本次設(shè)計(jì)選用SiGeBiCM

2、OS技術(shù)的理由、分析混頻器設(shè)計(jì)中的重點(diǎn)、難點(diǎn)以及總結(jié)和比較幾種接收機(jī)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)。第二部分對射頻的概念、混頻原理及混頻器的性能指標(biāo)進(jìn)行介紹，特別提出了零中頻結(jié)構(gòu)對混頻器設(shè)計(jì)的若干影響。第三部分針對仿真所用的捷智工藝庫，研究了NPN雙極型晶體管、電感、電容和電阻的器件模型，其中包括等效電路、結(jié)構(gòu)型號、工作范圍等。第四部分在研究目前最為廣泛應(yīng)用的Gilbert單元混頻電路的基礎(chǔ)上，從降低電源電壓、提高線性度、提高隔離度這三個方面進(jìn)行改進(jìn)，并且