電子元器件抗中子輻射性能評估方法初探.pdf

1、抗輻射能力評估是一個涉及到多學(xué)科、多領(lǐng)域的復(fù)雜問題。本論文建立起了一套器件級的抗輻射性能評估的完整的體系。該體系不僅可以對器件的抗輻射性能進(jìn)行評估，更重要的是它考慮到系統(tǒng)評估的需要，可以服務(wù)于系統(tǒng)評估。這個完整的體系主要包括四部分：輻射試驗方法和測試技術(shù)研究；輻射損傷機(jī)理的分析；輻射作用下器件性能參數(shù)不確定性的分析；輻射作用下器件生存概率的研究。 論文以中子輻射作用下的晶體管和三端穩(wěn)壓器為研究對象對這四方面的工作開展了詳細(xì)的研究

2、。利用自主研制的通用效應(yīng)信號測量系統(tǒng)，不僅可以獲得完整的輻射效應(yīng)曲線，更可以大大增加試驗的樣本量。對三端穩(wěn)壓器的中子輻射效應(yīng)進(jìn)行了深入分析，認(rèn)為中子輻射引起晶體管放大倍數(shù)的減少是引起三端穩(wěn)壓器輸出電壓變化最關(guān)鍵的因素。對中子輻射作用下晶體管和三端穩(wěn)壓器的敏感參數(shù)的不確定性的分布模型進(jìn)行了研究，結(jié)論不同于以前的對數(shù)正態(tài)分布的假設(shè)。用數(shù)學(xué)期望和方差對這種不確定性進(jìn)行了定量描述，各種方法的比較表明在抗輻射加固評估中采用隨機(jī)加權(quán)法評定數(shù)學(xué)期望和

3、方差是最佳選擇。論文還把數(shù)學(xué)期望和方差的結(jié)果運用到QMU方法和指數(shù)(裕度)法中。采用各種方法對晶體管和三端穩(wěn)壓器在中子輻射下的生存概率進(jìn)行了點估計和區(qū)間估計，針對輻射作用下敏感參數(shù)可能不遵從常見的分布模型的情況，論文利用基于bootstrap的蒙特卡洛仿真方法對經(jīng)典的非參數(shù)法進(jìn)行了改進(jìn)。論文發(fā)現(xiàn)可以用對數(shù)正態(tài)分布很好地擬合生存概率和中子注量的關(guān)系，利用這一關(guān)系，可以求出任意生存概率所對應(yīng)的中子注量及其置信限。 針對抗輻射加固評估