高頻熱穩(wěn)定ANNT瓷料的研究.pdf

1、該論文對超高介高頻ANNT系統(tǒng)進行了深入研究，并以電介質(zhì)物理理論、材料物理化學、晶體化學以及配位化學、表面與界面化學等理論為基礎(chǔ)，充分利用XRD、TEM、EDX、SEM、DTA-TG、IR光譜等現(xiàn)代分析手段，對其合成機理、介電性能進行了理論探討和實驗研究。并在進行固相研究的同時利用濕化學合成方法成功合成該系統(tǒng)，進一步提高了系統(tǒng)的介電性能。 1.論文詳細研究了引入Na+的ANNT系統(tǒng)與ANT系統(tǒng)的異同，并從理論上探討了ANNT系統(tǒng)

2、較ANT系統(tǒng)的優(yōu)勢，在此基礎(chǔ)上又研究了Na+的不同含量對ANNT系統(tǒng)介電性能的影響。 2.論文詳細研究了改性添加劑Bi2O3、Sb2O5、MnCO3對該系統(tǒng)介電性能的影響，研究表明適當?shù)膿诫s可以有效改善系統(tǒng)的燒結(jié)性能和介電特性。 3.利用液相法成功合成了ANNT納米粉體，并對比研究了檸檬酸鹽法和草酸鹽法對ANNT系統(tǒng)的影響，研究表明利用草酸鹽法所合成ANNT系統(tǒng)的團聚比較嚴重，而利用檸檬酸鹽法所制備ANNT系統(tǒng)，團聚較小

3、，平均粒徑為40nm，利用該納米粉體所制備的陶瓷材料晶粒均勻、平均粒徑小于0.5μm，有效提高了ANNT系統(tǒng)的介電性能。 4.利用固相法合成的ANNT系統(tǒng)的介電指標如下：介電常數(shù)ε＞400(1MHz)容量溫度系數(shù)αc＜0±30ppm/℃損耗tgδ＜10×10-4(1MHz)絕緣電阻率ρv＞1012Ω·cm燒結(jié)溫度Ts1050℃～1160℃。 5.利用液相法合成的ANNT系統(tǒng)的介電指標如下：介電常數(shù)ε＞500(1MHz)容