多種低維釩氧化物納米材料的結(jié)構(gòu)、性能及合成機(jī)理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文多種低維釩氧化物納米材料的結(jié)構(gòu)、性能及合成機(jī)理研究姓名：彭俊鋒申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：陳文20050501AbstraetInthisdissertation，hydrothermalmethodwasdevelopedtofabricatelowdimensionalvanadiumoxidenanomaterialsAseriesofcontrollableandhOVeIrouteswere

2、developedtosynthesizevariousvanadiumoxideswithlOWdimension，suchasvanadiumoxidenanotubes(vox—NTs)，vanadiumdioxidenanorods，llanowiresandnanoplateletsDifferentanalysisandcharacterizationtechnologierwereutilizedtostudytherel

3、ationshipamongcomponents，structureandpropertiesoflowdimensionalvanadiumoxidenanomaterialsNowslamupUSfellows(1)Multi—wallsvanadiumoxidenanombes誠mlengthof1～10VIn，innerdiameterof10~30nmouterdiameterof50～100rtmweresynthesize

4、dviaasol—gelmethodwithsubsequenthydrothermalreactionElectrochemicaltestsresultsshowthatthefirstchargeanddischargecapacitiesforVO。N弧are200mAh／gand185mAh／g，respectivelywhichoreobvioushigherthanothervanadiumdeprivedcathodem

5、aterialsT扭scouldbeascribedtOthemoreintercalationspaceandbetterthermodynamicintercalationsitesforLiinthenanotubesSinceoftheexistentoforganictemplatemoleculesthedischargecapacitydecreaseto120mAh／gafter10cyclesThewell—resol

6、vedphotolumineseencebandat450～550n_misdiscoveredinVOxNTswhichcouldleadtoacalculatedbandgapof27eVWjnotethatthe32—1DmechanismiSresponsiblefortheselfassemblyofVO。NTSWeobtainedVO。NTsmodificationwithM003ItwasfoundthatModoping

7、changesthegrowthdynamicsofthenanotubes，andresultsinbiggerinterlayerspacingandshorterdiffusivitydistanceandbetterelectrochemicalperformances(2)VOz(B)nanordswithlen舒hof12rn，diameterof30q50um，andthediameterofthenanorodweres

8、ynthesizedviareactionofV205orV205solswithCTABinaone—stephydrothermalmethodsnlcinitialdischargecapacityofV02(B)nanorodsis306mAh／g，aftert5cycles，thenanorodsevenshowadischargecapacityof245mAh／gBystartedfromV205andethylenegl

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