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文檔簡介
1、本論文通過對波長為1.3μm、InGaAsP/InP材料的半導體功率放大激光器的特殊結(jié)構(gòu)的分析和研究,采取在半導體功率放大激光器相應(yīng)的腔面鍍膜的方法,以獲得高的增益、降低閾值電流、提高激光器的光耦合效率以及光輸出功率。為了提高半導體功率放大激光器中激光發(fā)生器與激光放大器的光耦合效率,我們通過在半導體功率放大激光器的激光發(fā)生器的前腔面鍍制高反射膜方法,提高激光發(fā)生器端面的光輸出,進而來提高它的光耦合效率,我們采用ZrO2和MgF2作為多層
2、介質(zhì)高反射膜,通過理論計算,半導體功率放大激光器后腔面反射率理論上可達到92.5%。最后通過實驗分析加以驗證,半導體功率放大激光器在鍍制反射膜之后,它的整體工作功率提高了36.3-50%。同時,為了進一步提高半導體功率放大激光器中的激光發(fā)生器與激光放大器的耦合效率,我們采取在半導體功率放大激光器激光放大器的前腔面鍍制SiO增透膜的方法來提高相應(yīng)腔面的透射率,進一步提高它的光耦合效率。并采用軟件進行模擬計算分析,整體透射率得到了明顯改善。
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