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文檔簡介
1、隨著電路芯片集成度的提高,光刻技術已經(jīng)成為大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路制作過程中的一項關鍵技術,它對微電子產業(yè)的發(fā)展有至關重要的影響。光刻成像透鏡像差是影響激光投影光刻機精度的一個重要因素,因而二級波像差的定性研究和定量測量有著重要的意義。橫向剪切干涉儀是光干涉測量儀中重要的一種,用于測量檢驗時由于不需要參考波面而對測量條件的要求比其它干涉儀低一些,對氣流和溫度等擾動因素不敏感,并可用于對大口徑光學元件的測量,因而文中對橫向剪切干涉法檢測波
2、像差所得到的干涉圖進行研究。 該論文概述了專門用于測量像差的干涉儀、干涉條紋的相位測量技術和常用的擬合波面方法等干涉測量技術,并從定性分析和定量測量兩個方面對光學元件的波像差進行了研究。為了進行定性分析,文中首先建立了一個共軸旋轉對稱系統(tǒng)的光學衍射模型,模擬了初級像差和二級像差的衍射圖像,并逐個分析了初級像差和二級像差的成像特征,給出了伴隨波像差數(shù)值變化的典型圖像。同時根據(jù)光干涉原理,模擬了平行光橫向剪切干涉時初級像差和次級像差
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