10GHz材料遠(yuǎn)場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試裝置的研制及應(yīng)用分析.pdf

1、在電磁兼容設(shè)計(jì)中屏蔽設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的，在屏蔽設(shè)計(jì)中不可避免需要使用屏蔽材料，而屏蔽效能是評(píng)價(jià)屏蔽材料性能的重要指標(biāo)，對(duì)材料生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制非常重要。所以研究材料的屏蔽效能測(cè)試方法具有重要的意義，本文主要針對(duì)于平板型屏蔽材料。
　　本文介紹并對(duì)比了目前國內(nèi)外常用的平板型材料屏蔽效能測(cè)試方法，屏蔽室法、遠(yuǎn)場(chǎng)法和近場(chǎng)法。本課題在遠(yuǎn)場(chǎng)同軸傳輸線測(cè)試方法基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)制造了10GHz材料遠(yuǎn)場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試裝置。首先對(duì)ASTM D4935及課題

2、組已有的法蘭同軸測(cè)試裝置進(jìn)行了等效電路分析和對(duì)比，基于同軸線傳輸理論建立了測(cè)試裝置的基本模型；然后運(yùn)用電磁仿真軟件HFSS11.0對(duì)影響測(cè)試裝置性能的主要參數(shù)進(jìn)行掃描優(yōu)化；再根據(jù)基本模型和仿真結(jié)果給出了測(cè)試裝置的整體結(jié)構(gòu)，并對(duì)其進(jìn)行了加工制作，指出了加工中的難點(diǎn)和解決方案；對(duì)測(cè)試裝置進(jìn)行了性能測(cè)試，包括電壓駐波比VSWR、反射參數(shù)S11、傳輸參數(shù)S21，并將仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行了比較，運(yùn)用時(shí)域測(cè)試方法找出了測(cè)試裝置反射較大的位置；最后