半導體納米氧化亞銅光電催化在含氮農(nóng)藥降解、分析中的應(yīng)用研究.pdf

1、本碩士學位論文采用室溫濕法還原的方法，制備了粒徑適中且形貌均一的Cu2O納米晶體。結(jié)合X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線光電子能譜分析(XPS)等現(xiàn)代物理手段對樣品進行了結(jié)構(gòu)、表面形貌和晶體學性質(zhì)的分析。用循環(huán)伏安(CV)、開路電位(OCP)、方波伏安(SWV)等電化學方法分析了所制備粉末材料的電化學性能。同時還用紫外-可見分光光度計(UV-visiblespectrophotometer)研究了該材料在光催化降解

2、農(nóng)藥方面的效果和應(yīng)用前景。論文主要內(nèi)容如下：
　　 1.采用濕法還原技術(shù)，合成了Cu2O納米晶體及SnO2摻雜的Cu2O納米晶體，利用氟樂靈為目標含氮有機農(nóng)藥污染物，探討了Cu2O納米晶體以及用SnO2修飾的Cu2O納米晶體在可見光照射下的光催化活性比較。用X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線光電子能譜分析(XPS)紫外-可見分光光度計(UV-visiblespectrophotometer)方法對制備的晶體

3、形貌，特性進行了系統(tǒng)的表征和研究。結(jié)果顯示：摻雜及未摻雜制備的樣品均為Cu2O，且為八面體結(jié)構(gòu)，SnO2的摻雜不但降低Cu2O的顆粒大小，并且使其分散性更好，顆粒更均勻，并且提高了Cu2O的光催化活性，對氟樂靈有很好的降解效果。
　　 2.利用不同類型的表面活性劑通過濕法還原的方法制備了不同類型(n-型或者p型)的氧化亞銅半導體。用XRD、SEM表征了該組材料的組成和形貌。結(jié)果顯示所制備的納米材料粒徑均勻，多為八面體結(jié)構(gòu)。OCP

4、分析結(jié)果說明在陽離子表面活性劑存在時候，制備出的氧化亞銅屬于n型半導體，而當溶液中含有非離子或者陰離子表面活性劑時制備出的氧化亞銅是p型半導體。根據(jù)實驗結(jié)果，我們提出了半導體類型形成過程和機理推測。
　　 3.采用水熱法合成氧化亞銅晶體，用場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)、X射線衍射(XRD)對材料形貌進行了分析；并對其光催化降解百草枯性能進行了對比研究，用循環(huán)伏安(CV)、方波伏安(SWV)方法對百草枯的電化學性質(zhì)進行分析；同時