基于碳納米管的FED陰極制備及其場發(fā)射性能研究.pdf

1、場發(fā)射顯示器具有分辨率高、對比度好、響應(yīng)速度快、視角廣、亮度高等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。但由于陰極材料的限制，場發(fā)射顯示器的在實(shí)用化和大尺寸等方面一直沒有取得大的突破。碳納米管具有很高的強(qiáng)度、良好的導(dǎo)熱性及化學(xué)穩(wěn)定性，因此是一種非常理想的場發(fā)射冷陰極材料。采用化學(xué)氣相沉積法在不同基底上制備了碳納米管薄膜，并對其場發(fā)射性能進(jìn)行了比較。對碳納米管場發(fā)射陰極的制備進(jìn)行了研究，分別用絲網(wǎng)印刷法和印刷涂覆法制備了CNTs陰極，并且通過激光燒蝕和金屬摻雜

2、等方法對CNTs陰極薄膜進(jìn)行改性，提高其場發(fā)射性能。本文主要包含以下幾部分內(nèi)容： 1、采用Ni(NO3)2、Mg(NO3)2和Fe(NO3)3、Mg(NO3)2體系催化劑分別制備出碳納米管，發(fā)現(xiàn)由Ni(NO3)2、Mg(NO3)2體系作催化劑制備的碳納米管纏繞程度較輕，分布也較為均勻。由Fe(NO3)2、Mg(NO3)2體系作催化劑制備的碳納米管團(tuán)聚在一起，分布不均勻。 2、將Fe(NO3)3、Mg(NO3)2系催化劑漿

3、料絲印于石英、硅片、鈦片上，用CVD法原位生長CNTs薄膜，發(fā)現(xiàn)薄膜表面碳管的管徑較為均一，碳管分布較為均勻，可以有效的克服Fe(NO3)3、Mg(NO3)2系催化劑直接生長碳納米管引起的團(tuán)聚。 3、用Fe(NO3)3、Mg(NO3)2體系催化劑在石英、硅、鈦基底上生長的碳納米管制作碳納米管陰極作場發(fā)射研究，發(fā)現(xiàn)在石英基底上的碳納米管薄膜場發(fā)射性能較好。開啟電壓為較低，電流密度比較大，發(fā)射穩(wěn)定性比較好。 4、在絲網(wǎng)印刷工