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1、隨著大規(guī)模集成電路不斷向深亞微米(如0．25—0．18um)方向發(fā)展，金屬互連的材料對(duì)電路性能的影響越來越大，因此，對(duì)低電阻率和難溶的金屬硅化物(Silicide)的研究就顯得尤為關(guān)鍵。目前大部分以研究理論為主，而與工程實(shí)際相結(jié)合的研究不多。本篇論文主要是通過對(duì)金屬硅化物的研究，特別是難溶的金屬硅化物，對(duì)現(xiàn)有的0．25um工藝中難溶金屬硅化物進(jìn)行了分析和評(píng)價(jià)，采用了一些先進(jìn)工藝如預(yù)非晶化硅注入等，目的是解決自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝一些本身固
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