版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、本文主要研究高壓功率半導(dǎo)體器件的結(jié)終端技術(shù)。利用仿真手段設(shè)計(jì)與驗(yàn)證了四種適用于1700V功率器件的結(jié)終端,包括場(chǎng)限環(huán)(FLR)、具有偏移場(chǎng)板的場(chǎng)限環(huán)、結(jié)終端延伸(JTE)、深槽(DT)等。其中,場(chǎng)限環(huán)終端利用雙曲線法得到;具有偏移場(chǎng)板的場(chǎng)限環(huán)終端利用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)寬、環(huán)間距、場(chǎng)板長(zhǎng)度等參數(shù)做適當(dāng)?shù)恼{(diào)整得到優(yōu)化的結(jié)構(gòu);結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)是通過(guò)調(diào)整注入?yún)^(qū)的注入劑量、注入?yún)^(qū)長(zhǎng)度、注入?yún)^(qū)結(jié)深等參數(shù)實(shí)現(xiàn);深槽終端是在深槽中填充低介電常數(shù)電介質(zhì),通過(guò)調(diào)
2、整深槽的寬度與深度實(shí)現(xiàn)的。對(duì)這四種結(jié)終端技術(shù)在漏電流與擊穿硬度、面積效率、終端效率、對(duì)界面電荷的敏感程度和動(dòng)態(tài)下對(duì)結(jié)終端的影響等方面做了分析比較。 仿真結(jié)果顯示,這四種結(jié)終端技術(shù)各有優(yōu)缺點(diǎn)。場(chǎng)限環(huán)終端的面積效率與終端效率都較低,分別為80.2%與81.3%,對(duì)界面電荷比較敏感,界面電荷密度增大到1×1011/cm2時(shí)擊穿電壓下降了7.48%,擊穿電壓隨著dV/dt的增大而減小;具有偏移場(chǎng)板的場(chǎng)限環(huán)終端的面積效率與場(chǎng)限環(huán)終端相近,
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 半導(dǎo)體功率器件的高壓終端結(jié)設(shè)計(jì)
- 半導(dǎo)體功率器件的高壓終端結(jié)設(shè)計(jì).pdf
- 新型功率半導(dǎo)體器件的研究及其終端耐壓層的利用.pdf
- 高壓功率器件結(jié)終端技術(shù)分析與新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 提高高壓功率半導(dǎo)體集成器件中二極管開(kāi)關(guān)性能的研究.pdf
- 超結(jié)高壓功率MOSFET器件研究.pdf
- 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件數(shù)值計(jì)算的研究.pdf
- 高速低功耗低壓功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)與制造技術(shù)研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件的建模、仿真與分析:大功率LED器件與半導(dǎo)體壓阻器件的研究.pdf
- 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件損耗研究.pdf
- 典型半導(dǎo)體器件的高功率微波效應(yīng)研究.pdf
- 功率器件結(jié)終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證.pdf
- 半導(dǎo)體脈沖功率器件RSD的熱學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- SOI高壓器件及功率開(kāi)關(guān)集成電路的研究.pdf
- 雙極型半導(dǎo)體器件高功率微波損傷研究.pdf
- 外文翻譯--- 開(kāi)關(guān)模式中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用
- 外文資料翻譯---開(kāi)關(guān)模式中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用
- 半導(dǎo)體器件的高功率微波毀傷閾值數(shù)值計(jì)算研究.pdf
- 半導(dǎo)體分立器件
- 半導(dǎo)體器件綜述
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論