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文檔簡介
1、和晶態(tài)InSb材料相比，非晶a-InSb材料具有成本低，制備工藝簡單等優(yōu)點。但是目前國內(nèi)外還缺乏非晶態(tài)半導體材料全面和詳盡的研究。本文開展了a-InSb薄膜制備、表征和氫鈍化方面的研究工作。
本論文根據(jù)非晶態(tài)薄膜的生長機理，利用磁控濺射的方法制備出a-InSb薄膜。采用X射線衍射儀、X射線能譜儀、掃描電鏡等手段a-InSb薄膜的結(jié)構(gòu)、組分和表面特性進行了表征，分析了工藝參數(shù)對結(jié)構(gòu)、組分和形貌的影響，我們已獲得了表面形貌很好
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