提高LED外量子效率方法的研究.pdf

1、GaN基LED具有節(jié)能、壽命長、體積小等優(yōu)點(diǎn)，被視為下一代照明器件，受到人們廣泛的關(guān)注。由于LED芯片折射率與空氣折射率的巨大差別，使得光提取效率成為影響LED性能提高的最關(guān)鍵因素之一。因此，如何提高LED光提取效率成為近年來的研究熱點(diǎn)。
　　 本文通過對雙光柵結(jié)構(gòu)氮化鎵基LED的理論研究和仿真實(shí)驗(yàn)優(yōu)化研究，提高了氮化鎵基LED的外量子效率。作者對實(shí)驗(yàn)方案做了理論分析，模擬了光線在氮化鎵基LED的傳播。采用蒙特卡羅方法、光線追跡

2、法和光柵衍射理論計(jì)算了氮化鎵基LED的光提取效率，通過數(shù)值計(jì)算模擬，計(jì)算不同的光柵槽深、周期及吸收系數(shù)對LED光提取效率的動態(tài)影響，得到了一些有益的研究結(jié)果：
　　 [1]當(dāng)固定光柵周期，GaN材料吸收系數(shù)，僅變化光柵槽深時(shí)，光提取效率曲線隨槽深增大呈類似周期性余弦變化；當(dāng)固定光柵槽深，GaN材料吸收系數(shù)，僅變化光柵周期時(shí)，周期的最理想的尺寸應(yīng)該與光在GaN或ITO中的波長相比擬；傳統(tǒng)平板型GaN基LED光提取效率隨吸收系數(shù)增大