基于多孔結(jié)構(gòu)提高LED出光效率的研究.pdf

1、自上世紀(jì)六十年代發(fā)光二極管（LED）商業(yè)化以來，LED照明引起了越來越多的關(guān)注。提高LED出光效率也成為當(dāng)前國際上該領(lǐng)域的一個研究熱點(diǎn)。本論文基于多孔結(jié)構(gòu)提高LED的出光效率的研究。
　　 利用光刻方法在單晶硅上制備了微米級多孔結(jié)構(gòu)，對其發(fā)光性能進(jìn)行了研究。多孔結(jié)構(gòu)有孔徑2μm、間距6μm和孔徑6μm、間距8μm兩種尺寸，用反應(yīng)離子束刻蝕方法分別刻蝕了70nm、140nm、260nm三種不同的深度。用場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FSE

2、M）表征樣品的表面和截面結(jié)構(gòu)。用熒光光譜儀測試了樣品在室溫下的光致發(fā)光現(xiàn)象，結(jié)果表明：多孔硅在425nm和473nm波長處有光致發(fā)光現(xiàn)象，激發(fā)波長為270nm時，樣品的PL譜最強(qiáng)。
　　 用光刻和ICP刻蝕方法在多量子阱藍(lán)光LED的p型層上制備了微米級多孔結(jié)構(gòu)?？讖綖?μm，間距6μm，刻蝕深度為70nm。用金相顯微表征了樣品的表面結(jié)構(gòu)。用熒光光譜儀測試了樣品的PL譜，測試結(jié)果表明：和標(biāo)準(zhǔn)LED芯片相比，表面具有多孔結(jié)構(gòu)的LED