應(yīng)變對DBRT結(jié)構(gòu)等效電容影響的研究.pdf

1、作為微型傳感器重要部件的敏感元件的設(shè)計與制作依賴于新的理論以及新的材料，敏感元件性能的好壞直接影響微型傳感器的性能。本文以雙勢壘量子阱結(jié)構(gòu)為模型，計算分析了應(yīng)變對其等效電容的影響，并提出介觀壓容效應(yīng)的概念，為以后微型傳感器敏感元件的設(shè)計提供參考。
　　在超晶格薄膜組成的雙勢壘量子阱二極管器件（DBRT）的外部施加單軸壓力會使得器件內(nèi)部的薄膜發(fā)生形變——薄膜的幾何尺寸會改變，這樣就會改變器件的隧穿電流的大小，同時器件的各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)將

2、會發(fā)生改變，本文將研究DBRT器件的等效電容在壓力作用下變化的現(xiàn)象。
　　文章首先從超晶格的共振隧穿效應(yīng)出發(fā)，分別推導(dǎo)了超晶格的隧穿電流計算方法和超晶格費(fèi)米能級的計算方法。對DBRT模型所用材料的一些參數(shù)進(jìn)行了計算。
　　其次，為了降低計算的復(fù)雜程度，對DBRT結(jié)構(gòu)模型進(jìn)行了電路等效化，通過計算得到了該模型的等效電容表達(dá)式，等效電容的大小與隧穿電流有著密切的關(guān)系。
　　最后，依據(jù)材料力學(xué)的相關(guān)知識，分別計算了應(yīng)變與DB