CLST-PTFE復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)與介電性能研究.pdf

1、隨著信息技術(shù)與信息材料的飛速發(fā)展，人們對信息的處理與傳輸提出了更高的要求，信息功能產(chǎn)品正朝著小型化、多功能化、高頻化等方向發(fā)展。聚合物基電介質(zhì)復(fù)合材料相對于傳統(tǒng)的介質(zhì)陶瓷材料而言，具有柔性好、可加工性能與可設(shè)計(jì)性好等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。其中，聚四氟乙烯(PTFE)基復(fù)合材料由于性能獨(dú)特而受到廣泛關(guān)注，但由于PTFE線膨脹系數(shù)大，介電常數(shù)低，復(fù)合改性后材料的界面損耗過大，介電性能溫度穩(wěn)定性較差，在一定程度上限制了其應(yīng)用。
　　由于P

2、TFE基體具有很好的耐腐蝕、耐高溫性能，并且在較寬頻率范圍內(nèi)的介電損耗低等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)則具有介電常數(shù)高、介電損耗小、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。通過CLST填充改性等方法，可以制備機(jī)械性能好、介電性能連續(xù)可調(diào)的復(fù)合材料。本文以PTFE為基體，CLST作為填充相，研究制備工藝，包括填料添加量、偶聯(lián)劑用量、混料方法、填料粒度分布等對PTFE基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與介電性能的影響，進(jìn)而優(yōu)化與確定工藝參數(shù)

3、，制備介電常數(shù)連續(xù)可調(diào)、介電損耗低、介電性能溫度穩(wěn)定性好，并且耐腐蝕、耐高溫的微波介質(zhì)復(fù)合材料。
　　1.通過H2O2對CLST陶瓷粉體表面進(jìn)行羥基化處理，提高了CLST的表面活性，使之更好的與偶聯(lián)劑反應(yīng)，增強(qiáng)了兩相界面結(jié)合，促進(jìn)了填料在基體中的均勻分散。結(jié)果表明，偶聯(lián)劑的最佳添加量為填料質(zhì)量的0.8wt％。
　　2.研究了制備工藝對CLST/PTFE復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與介電性能的影響，結(jié)果表明：采用干法混料工藝，燒結(jié)溫度為390