GaAs表面相變動(dòng)態(tài)過程的研究.pdf

1、GaAs（001）表面島狀結(jié)構(gòu)自發(fā)形成的動(dòng)態(tài)過程是研究薄膜生長(zhǎng)機(jī)制微觀理論一個(gè)重要的研究方向。本文利用掃描隧道顯微鏡（STM）的一系列表面形貌圖，對(duì) GaAs（001）表面島狀結(jié)構(gòu)形成的動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行分析，并且從表面結(jié)構(gòu)和能量的角度進(jìn)行解釋。本論文以二維格氣艾辛模型和臨界減慢的理論原理為指導(dǎo)，通過一系列的實(shí)驗(yàn)得出 GaAs（001）表面相變的動(dòng)態(tài)過程，并得到以下結(jié)論：
　　1.一定退火溫度下，不同的退火時(shí)間，得到不同的表面形貌。Ga

2、As（001）表面粗糙化程度（島的覆蓋率）與退火時(shí)間之間的關(guān)系：隨著退火時(shí)間的增加，島的覆蓋率從 0 逐漸增加到 50％，保持恒定，表面達(dá)到平衡。
　　2.島狀結(jié)構(gòu)自發(fā)形成的初期，坑和島的覆蓋率基本相同，說明島是伴隨著近鄰的坑形成而形成的。從時(shí)間上來說，坑最初是沿著[110]方向破裂開并逐漸和其它的坑合并形成較大的坑直到消失，在這個(gè)過程中兩倍臺(tái)階高度始終沒有出現(xiàn)。
　　3.利用二維格氣艾辛模型描述 GaAs（001）表面，根