低壓化學氣相淀積中反應(yīng)舟兩端硅片面內(nèi)均一性的改善.pdf

1、本文提出了一種改善半導體制造低壓化學氣相淀積(LPCVD)工藝中BOAT兩端膜厚片內(nèi)均一性的新方法。在現(xiàn)有α-8S型LP-furnace裝置(東京電子制造)基礎(chǔ)上通過對其BOAT兩端的膜厚片內(nèi)均一性的改善，提高了現(xiàn)有裝置的工藝處理能力。本文首先研究了幾種工藝參數(shù)對小舟兩端硅片片內(nèi)膜厚均一性的影響，并與采用加厚SiCWafer的結(jié)果進行對比。實驗發(fā)現(xiàn)流量和壓力等工藝參數(shù)的調(diào)整可以部分改善小舟底部膜厚片內(nèi)均勻性，但是片內(nèi)頂部一直沒有什么明顯

2、的改善?？偟膩碚f，對于片內(nèi)均勻性的改善效果有限。其次論文發(fā)現(xiàn)采用加厚的SiCWafer作為SideDummy是一種非常有效的改善小舟兩端硅片膜厚片內(nèi)均一性的方法。通過這個方法可以提高現(xiàn)有的一些裝置的生產(chǎn)能力，并解決部分類似的均一性問題。分析認為采用加厚SiCwafer提高了硅片中心部分的溫度，而對硅片周邊部分的溫度并沒有很大的影響。由于其膜厚的片內(nèi)分布是中心薄，周邊厚，因比提高硅片中心溫度改善了其片內(nèi)成膜的均一性。進一步研究發(fā)現(xiàn)，Sid

3、eDummy的熱傳導系數(shù)高低將對硅片中心溫度有不同的影響。熱傳導系數(shù)低的材料，增加了硅片中心的溫度，而熱傳導系數(shù)較高的材料，則降低了硅片的中心溫度。論文還研究了SideDummy厚度對硅片中心溫度的影響?！　≌撐娜慕Y(jié)構(gòu)如下：首先介紹了化學氣相淀積(CVD)的工藝原理；其次介紹了用于本文研究的LPCVD的裝置及其原理和構(gòu)造;然后論文具體研究了在Si3N4工藝中采用新方法的具體工藝結(jié)果及比較，并通過CVD的工藝原理對其實驗結(jié)果進行了一些