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1、超大規(guī)模集成電路特征線寬的下降導(dǎo)致了信號(hào)傳輸延遲、功率耗散的增加,解決的辦法是使用低電阻率的金屬線和低介電常數(shù)(低k)層間絕緣材料來代替當(dāng)前集成電路使用的Al/SiO<,2>結(jié)構(gòu).a-C:F:H具有低的介電常數(shù),它是層間介電體的侯選材料之一.我們率先在國內(nèi)使用了微波電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積(ECRCVD)方法制備了低k氟化非晶碳薄膜,并對其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究工作.論文的研究內(nèi)容主要分兩部分:第一部分主要敘述了在含氟ECR
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