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1、在論文中,進(jìn)行了三個(gè)相關(guān)的創(chuàng)新性工作:建模、優(yōu)化和設(shè)計(jì).首先,在對(duì)鐵電電容模型發(fā)展進(jìn)行調(diào)研的基礎(chǔ)上,提出了一個(gè)新的鐵電電容模型--非線性雙電容模型.在該文中,電路的優(yōu)化和仿真都是基于這個(gè)模型進(jìn)行.其次,針對(duì)1T/1C FeRAM設(shè)計(jì)中的困難,即它的讀出窗口只有2T/2C FeRAM的一半,該文提出了一個(gè)優(yōu)化方法,包括數(shù)學(xué)描述、定性分析和定量計(jì)算.利用非線性雙電容模型在HSPICE進(jìn)行仿真,得到位線寄生電容與1T/1C單元鐵電電容的比例對(duì)
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