與CMOS工藝兼容、具有圖騰柱結(jié)構(gòu)的高低側(cè)功率器件的驅(qū)動(dòng).pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文首先簡(jiǎn)述了智能功率集成電路的研究和發(fā)展，從中可以得出該設(shè)計(jì)的目的：功率集成電路和應(yīng)將功率器件與低壓邏輯控制電路集成在一個(gè)芯片上，以及實(shí)現(xiàn)其目的的重要性和必要性.其次，根據(jù)陳星弼教授的兩個(gè)美國(guó)專利U.S.5,726,469及U.S6,310,365B1，并利用58所的1.2μmCMOS工藝流程，設(shè)計(jì)出了該智能功率集成電路的工藝流程，利用SUP3進(jìn)行工藝模擬，證明了此工藝的可行性，并得以了可以用于器件模擬的工藝參數(shù).然后，根據(jù)高側(cè)功率器

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