2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、無線通信技術(shù)的迅速發(fā)展,對(duì)射頻終端濾波器性能提出了新的挑戰(zhàn)。與傳統(tǒng)的介質(zhì)濾波器和表聲波濾波器相比,薄膜腔聲諧振器濾波器因其工作頻率高、功率容量大、損耗低、體積小、可與半導(dǎo)體硅工藝兼容等優(yōu)勢而被認(rèn)為是最佳的GHz器件解決方案,成為射頻通訊領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。以安捷倫公司為首的一些國外企業(yè)及研究院校都陸續(xù)研制出了自己的薄膜腔聲諧振器濾波器產(chǎn)品,并逐步推向市場,國內(nèi)在這方面的技術(shù)則較為薄弱。 為指導(dǎo)完成薄膜腔聲諧振器的設(shè)計(jì)與制作,首要

2、工作是器件的性能模擬。本文從基本的壓電方程和運(yùn)動(dòng)學(xué)方程出發(fā),推導(dǎo)了諧振器的一維Mason等效電路模型與MBVD模型,比較了兩種模型的特點(diǎn),并模擬了器件的頻率特性,為器件的制備與分析奠定了理論基礎(chǔ)。 AlN壓電薄膜作為薄膜腔聲諧振器的優(yōu)選壓電材料,是器件制作的材料基礎(chǔ)。本文采用射頻磁控反應(yīng)濺射技術(shù),通過優(yōu)化濺射工藝條件,沉積出了重復(fù)性好的高質(zhì)量c軸擇優(yōu)取向AlN薄膜,薄膜X射線衍射僅呈現(xiàn)(002)峰,搖擺曲線半高寬為4°,且有良好

3、的柱狀晶結(jié)構(gòu),平滑的表面,適于器件應(yīng)用的需要。 薄膜腔聲諧振器制備中所涉及的MEMS工藝有:掩模板設(shè)計(jì)、光刻、電極剝離、AlN薄膜的沉積與刻蝕、掩膜層的反應(yīng)離子刻蝕以及硅的深度濕法刻蝕。在確定整體工藝流程,并優(yōu)化各個(gè)環(huán)節(jié)的工藝參數(shù)后,最終成功制備出了薄膜腔聲諧振器原型器件。 將制得的諧振器構(gòu)成單端口網(wǎng)絡(luò)測試其頻率特性,并與模擬結(jié)果進(jìn)行比較,分析了器件性能的影響因素及相關(guān)規(guī)律。結(jié)果表明,薄膜腔聲諧振器的性能與AlN壓電薄膜

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