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1、該文通過對多孔硅的形成過程,室溫及低溫下的光譜研究,得到以了以下結(jié)果:多孔 硅在其形成過程中受樣品制備條件的影響很大,這些條件包括:電解液的濃度,陽極化時(shí)的電流密度,陽極化時(shí)間,反應(yīng)時(shí)有無光照等.用滎光分光光度計(jì)及光電能譜系統(tǒng)測量了不同條件下所制備樣品的光譜變化,驗(yàn)證了大家所用系統(tǒng).對從低溫到高溫多孔硅的光致發(fā)光進(jìn)行了研究.實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)多孔的發(fā)光光譜在低溫下具有雙峰結(jié)構(gòu),發(fā)光峰的溫度依賴關(guān)系隨其在低溫下的發(fā)江性質(zhì)的不同而不同.比較了氧化處
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